合成鑽石參數表

範圍 描述
鑽石型 IIa 型或 IIb 型
生長方法 高溫高壓 (高壓高溫)
壓力 取決於 6 GPa
溫度 高達 2,300°C
成長率 通常 0.01-0.1 毫米/小時
晶種 高品質單晶鑽石
催化劑 金屬溶劑,例如 Fe-Ni-Co 或碳的混合物
氣體成分 通常是甲烷或氫氣與碳源氣體混合
水晶形狀 可以透過種子的使用和生長過程來控制
純度 由於生長條件,可能高於天然鑽石
顏色 可以透過使用摻雜劑或生長過程來控制
尺寸 可以長到幾克拉
價格 一般低於天然鑽石, 但因尺寸而異, 顏色, 和品質

 

範圍 描述
養殖方法: 兩種方法, 高溫高壓 (高壓高溫) 和化學氣相沉積 (化學氣相沉積).
原料: 鑽石種子 (種子) 和碳源 (CVD法用).
壓力: 一般介於 50-70 大的 (高溫高壓法) 或者 0.1-1 大的 (化學氣相沉積法).
溫度: 一般在1200-1500℃之間 (高溫高壓法) 或700-1100°C (化學氣相沉積法).
時間: 通常從幾個小時到幾天不等.
金屬催化劑: 一些CVD方法需要使用, 例如鎳, 公司, ETC.
鑽石產量: 那是, 原料轉化為鑽石的比例, 一般範圍從 0.1% 至 50%.
鑽石品質: 顏色, 尺寸, 雜質含量, 透過不同的培育條件可以控制和調整鑽石的硬度等指標.

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