เพชรนั้นเหนือกว่าคู่แข่งหลัก: ซิลิคอน (และ), ซิลิกอนคาร์ไบด์ (ซีซี) และแกลเลียม-ไนไตรด์ (กาน) ในการนำความร้อน. ค่าการนำความร้อนของแผ่นเพชรมีตั้งแต่ 1000 ถึง 2000 W/mK, อย่างไรก็ตาม, เนื่องจากเทคโนโลยีที่เป็นเอกลักษณ์เฉพาะตัว ผลึกเดี่ยวของเราจึงแสดงผลลัพธ์ที่ดีขึ้นโดยเฉลี่ยประมาณ. 2100 W/mK.

เพชรไฮเดรย์สามารถขจัดความร้อนหรือเปลี่ยนอุณหภูมิของแหล่งพลังงานสูงได้อย่างเต็มที่เพื่อป้องกันความร้อนสูงเกินไป, ความเสียหายและการทำลายของโมดูลการทำงาน. แผ่นระบายความร้อนเพชรช่วยเพิ่มความจุของโมดูลการทำงานและอายุการใช้งานในสภาวะที่รุนแรง. เป็นสิ่งสำคัญมากสำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์, ซึ่งในปัจจุบันไม่สามารถพัฒนา UHP และโปรเซสเซอร์ที่รวดเร็วได้ และยังคงเป็นความฝันของนักเทคโนโลยีในขั้นตอนและเวลานี้เท่านั้น.